[发明专利]半导体装置制造方法无效
| 申请号： | 200910118140.8 | 申请日： | 2009-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101540286A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 山口晋平 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/027;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置制造方法，所述制造方法包括如下步骤：在内部形成有源极区域的半导体基板上形成带有掩模开口的硬掩模层；在所述掩模开口的侧壁上形成侧壁层掩模；使用所述侧壁层掩模和所述硬掩模层作为掩模，形成沟槽并使所述沟槽到达所述源极区域；除去所述侧壁层掩模；在所述掩模开口和所述沟槽的内部形成栅极电极，且在所述栅极电极的下面设有栅极绝缘膜；在所述栅极电极的侧壁上形成侧壁层；以及在接近所述栅极电极的所述半导体基板的表面上形成漏极区域。本方法能够利用相对于沟槽的自对准方法来形成延伸部分，产生防止纵向晶体管特性变化的效果，并因此产生提高产量的效果。本方法不需要使用会损坏沟道的热磷酸进行的湿式蚀刻操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置制造方法，所述制造方法包括如下步骤：在内部形成有源极区域的半导体基板上形成带有掩模开口的硬掩模层；在所述掩模开口的侧壁上形成侧壁层掩模；使用所述侧壁层掩模和所述硬掩模层作为掩模，在所述半导体基板中形成沟槽并使所述沟槽到达所述源极区域；除去所述侧壁层掩模；在所述掩模开口和所述沟槽的内部形成栅极电极，且在所述栅极电极的下面设有栅极绝缘膜；在所述栅极电极的侧壁上形成侧壁层；以及在接近所述栅极电极的所述半导体基板的表面上形成漏极区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
