[发明专利]半导体装置制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置制造方法，所述制造方法包括如下步骤：

在内部形成有源极区域的半导体基板上形成带有掩模开口的硬掩模层；

在所述掩模开口的侧壁上形成侧壁层掩模；

使用所述侧壁层掩模和所述硬掩模层作为掩模，在所述半导体基板中形成沟槽并使所述沟槽到达所述源极区域；

除去所述侧壁层掩模；

在所述掩模开口和所述沟槽的内部形成栅极电极，且在所述栅极电极的下面设有栅极绝缘膜；

在所述栅极电极的侧壁上形成侧壁层；以及

在接近所述栅极电极的所述半导体基板的表面上形成漏极区域。

2.如权利要求1所述的半导体装置制造方法，其中所述硬掩模层是由氮化硅形成的，并且所述侧壁层掩模是由氧化硅形成的。

3.如权利要求1所述的半导体装置制造方法，其中所述侧壁层掩模是由氧化硅形成的，并且是通过使用稀氢氟酸的湿式蚀刻操作而被除去的。

4.如权利要求1所述的半导体装置制造方法，其中用金属硅化物层覆盖在所述漏极区域上。