[发明专利]一种生长多晶硅锭的坩埚有效
| 申请号： | 200910115634.0 | 申请日： | 2009-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101597793A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 胡动力;张涛;王人松 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 | 代理人： | 杨志宇 |
| 地址： | 338000江西省新余市高*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能领域中的一种生长硅锭的坩埚，特别是一种生长多晶硅锭的坩埚。一种生长多晶硅锭的坩埚，其中：坩埚的底板2上设置有多个孔3；孔3的深度为1mm-25mm，孔3与坩埚的底板2平齐处的孔径为1mm-30mm，孔3与坩埚的底板2分布的密度为1-100个/平方分米。采用本发明提供的一种生长多晶硅锭的坩埚来生长多晶硅锭，可以显著提高多晶硅锭晶粒的定向性，使多晶硅锭在<110>和<112>晶向的晶粒占优，减少<111>晶面引起的多重平行的孪晶间界(parallel twins)，减少晶界数量；同时提高∑3浅能级晶界的百分比，从而有效地增加硅片的少子寿命，采用此硅片制成的太阳能电池片的转换效率得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 多晶 坩埚 | ||
【主权项】：
1、一种生长多晶硅锭的坩埚，其特征在于：坩埚的底板(2)上设置有多个孔(3)。
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