[发明专利]一种生长多晶硅锭的坩埚有效
| 申请号： | 200910115634.0 | 申请日： | 2009-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101597793A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 胡动力;张涛;王人松 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 | 代理人： | 杨志宇 |
| 地址： | 338000江西省新余市高*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生长 多晶 坩埚 | ||
【权利要求书】：
1.一种生长多晶硅锭的坩埚，其特征在于：坩埚的底板(2)上设置有多个孔(3)；孔(3) 的深度为10mm；孔(3)与坩埚的底板(2)平齐处的孔径为12mm；孔(3)在坩埚的底板(2) 分布的密度为20个/平方分米；坩埚的底板(2)是整体式的。
2.如权利要求1所述的一种生长多晶硅锭的坩埚，其特征在于：所述的孔(3)的直径沿着 孔的开口方向逐渐增大。
3.如权利要求1或2所述的一种生长多晶硅锭的坩埚，其特征在于：所述的孔(3)的形状 为圆锥形。
4.如权利要求1、2中任意一项所述的一种生长多晶硅锭的坩埚，其特征在于：在坩埚的底 板(2)四周有侧壁(1)，坩埚的底板(2)与侧壁(1)围拢形成坩埚的空腔(4)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西赛维LDK太阳能高科技有限公司，未经江西赛维LDK太阳能高科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910115634.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
