[发明专利]钛酸锶钡与多孔硅复合材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200910114588.2 | 申请日： | 2009-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101717067A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 夏金虹;肖顺华 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00;B82B3/00;B81B3/00;B82B1/00 |
| 代理公司： | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人： | 孙伊滨 |
| 地址： | 541004 广*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钛酸锶钡与多孔硅复合材料及其制备方法，它是采取匀胶旋涂技术，将铁电材料钛酸锶钡纳米晶复合到多孔硅表面上，从而得到了一种具有微结构可调并具有良好气敏特性和光电特性的钛酸锶钡与多孔硅复合材料。该发明公开的制备钛酸锶钡与多孔硅复合材料的方法，室温下操作，制备条件温和，工艺简单，操作简便易行，重复率达到100％；此类复合材料具有可调的光电性能和高度的气体敏感性。 | ||
| 搜索关键词： | 钛酸锶钡 多孔 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
钛酸锶钡与多孔硅复合材料的制备方法，其特征是：制备方法包括如下步骤：(1)制备衬底材料多孔硅：将电阻率0.015Ω·cm的P型单晶硅片置入高压釜，填充由浓度介于8.00～22.00mol/l的氢氟酸(HF)和0.01～0.50mol/l的硝酸铁(Fe(NO3)3)溶液组成的腐蚀液，高压釜的溶液体积填充度为40～95％，在温度50～200℃下腐蚀1分钟～36小时，即制备出衬底材料多孔硅；(2)制备钛酸锶钡溶胶；(3)用匀胶机将钛酸锶钡溶胶旋涂在新鲜制备的多孔硅衬底上，经过100～700℃温度和一定保护气体气氛下退火，即得到传感、发光和介电特性可调的钛酸锶钡与多孔硅复合材料。
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