[发明专利]基于银纳米线的透明导电薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200910112925.4 | 申请日： | 2009-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102087886A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 曾小燕;卢灿忠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于银纳米线的透明导电薄膜及其制备方法。其特点是首先把把粘附层有机聚合物流体在基片上面形成均匀的粘附层，然后在粘附层上形成银纳米线导电层，银纳米线能够与粘附层形成牢固粘结。粘附层极大的提高了银纳米线透明导电薄膜的牢固程度和可靠性，解决了银纳米线易脱落的难题，而且扩大了基片选择的范围。在PMMA基片上以聚乙烯醇为粘附层，在方块电阻为130时可见光透过率达到84％。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种透明导电薄膜，包括基板、银纳米线导电层，其特征在于：所述基板之上布设有粘附层，粘附所述的银纳米线导电层。
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