[发明专利]基于银纳米线的透明导电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种透明导电薄膜，包括基板、银纳米线导电层，其特征在于：所述基板之上布设有粘附层，粘附所述的银纳米线导电层。

2.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述粘附层为能够粘附基板和银纳米材料的有机聚合物。

3.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述的粘附层选用聚乙烯醇，或聚对苯二甲酸乙二醇酯，或聚乙烯，或聚丙烯，或聚苯乙烯，或聚氯乙烯，或尼龙，或聚氨酯。

4.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述的银纳米线导电层是以银纳米线为主体形成的连续网络结构，可以根据需要填充一些金属、氧化物或者其他具有导电性的纳米材料。

5.根据权利要求4所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述的导电纳米材料选用碳纳米管，或石墨烯，或氧化钌，或氧化镍，或氧化锌，或氧化锡，或ITO，或银，或铜，或金，或铝材料中的一种或多种材料的纳米结构构成的复合材料。

6.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述的粘附层厚度在10纳米到10毫米之间。

7.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述的银纳米线直径在3纳米到200纳米之间，长度在500纳米到100微米之间。

8.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述的银纳米线导电层直径在10纳米到100纳米，长度在1微米到50微米之间。

9.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述的银纳米线导电层厚度在3纳米到1000纳米之间。

10.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述的银纳米线导电层厚度在20纳米到200纳米之间。

11.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述的银纳米线导电层在基片上单位面积上银纳米线的重量在5毫克/平方米到500毫克/平方米范围之间。

12.根据权利要求1至11任一所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述的银纳米线导电层之上覆盖平坦化层。

13.根据权利要求12所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述的平坦化层选用聚乙炔，或聚吡咯，或聚噻吩，或聚对苯乙烯，或聚苯胺，或聚(3，4-二氧乙基噻吩)/聚对苯乙烯磺酸，或它们的衍生物。

14.根据权利要求12所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述的平坦化层选用聚(3，4-二氧乙基噻吩)/聚对苯乙烯磺酸或其衍生物。

15.根据权利要求1所述的透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：采用喷涂，或丝网印刷，或辊涂，或旋涂的方法把粘附层有机聚合物溶解后或熔化后的流体，或粘附层有机聚合物的预聚物流体在基片上面形成均匀的膜层，经过干燥或热处理程序，在基片上面形成粘附层。采用转印方法，或把包含银纳米线的悬浮液在布设有粘附层的基片上面形成均匀的膜层，经过干燥或热处理，得到在粘附层上结合牢固的银纳米线透明导电薄膜。