[发明专利]硅基电容麦克风及其制造方法无效
| 申请号： | 200910108420.0 | 申请日： | 2009-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101588529A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 颜毅林;孟珍奎 | 申请（专利权）人： | 瑞声声学科技(深圳)有限公司;瑞声声学科技(常州)有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04;B81B7/02;H04R31/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种硅基电容麦克风，包括硅基底、设置在硅基底上的氧化物绝缘层、设置在氧化物绝缘层上的振膜以及与振膜间隔一定距离的背板。本发明另提供一种硅基电容麦克风的制造方法，该方法包括如下步骤：提供一个硅基底，硅基底上设置氧化物绝缘层，氧化物绝缘层上设置与硅基底相同材质的氧化物上硅层；对氧化物上硅层进行掺杂，形成掺杂后的掺杂层；在掺杂层上沉积牺牲层，在牺牲层上利用光刻形成若干沉孔；沉积背板层，背板层具有突出部，背板层部分进入沉孔形成突起，并由此使得上部出现凹槽，再利用光刻形成入声孔；沉积电极；利用蚀刻形成背腔；释放牺牲层，得到间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 麦克风 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅基电容麦克风，其特征在于：该硅基电容麦克风包括硅基底、设置在硅基底上的氧化物绝缘层、设置在氧化物绝缘层上的振膜以及与振膜间隔一定距离的背板。
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