[发明专利]硅基电容麦克风及其制造方法无效
| 申请号： | 200910108420.0 | 申请日： | 2009-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101588529A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 颜毅林;孟珍奎 | 申请（专利权）人： | 瑞声声学科技(深圳)有限公司;瑞声声学科技(常州)有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04;B81B7/02;H04R31/00;B81C1/00 |
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| 地址： | 518057广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容 麦克风 及其 制造 方法 | ||
1、一种硅基电容麦克风，其特征在于：该硅基电容麦克风包括硅基底、设置在硅基底上的氧化物绝缘层、设置在氧化物绝缘层上的振膜以及与振膜间隔一定距离的背板。
2、根据权利要求1所述的硅基电容麦克风，其特征在于：氧化物绝缘层为二氧化硅层。
3、根据权利要求1所述的硅基电容麦克风，其特征在于：振膜为硅与磷的掺杂层。
4、根据权利要求1所述的硅基电容麦克风，其特征在于：背板为氮化硅层。
5、根据权利要求1所述的硅基电容麦克风，其特征在于：背板设有位于硅基底上的连接部以及由连接部延伸的突出部，突出部与振膜之间具有间隙。
6、根据权利要求5所述的硅基电容麦克风，其特征在于：背板的突出部上形成有贯穿的入声孔，且于面对振膜的一面设置有若干突起，另一面设置有若干凹槽。
7、一种如权利要求1所述的硅基电容麦克风的制造方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
步骤A：提供一个硅基底，硅基底上设置氧化物绝缘层，氧化物绝缘层上设置与硅基底相同材质的氧化物上硅层；
步骤B：对氧化物上硅层进行掺杂，形成掺杂后的掺杂层；
步骤C：在掺杂层上沉积牺牲层，在牺牲层上利用光刻形成若干沉孔；
步骤D：沉积背板层，背板层具有突出部，背板层部分进入沉孔形成突起，并由此使得上部出现凹槽，再利用光刻形成入声孔；
步骤E：沉积电极；
步骤F：利用蚀刻形成背腔；
步骤G：释放牺牲层，得到间隙。
8、根据权利要求7所述的硅基电容麦克风的制造方法，其特征在于：步骤A中，氧化物绝缘层为二氧化硅层。
9、根据权利要求7所述的硅基电容麦克风的制造方法，其特征在于：步骤B中的掺杂是利用磷来进行掺杂。
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