[发明专利]像素结构、薄膜晶体管阵列基板、显示面板以及显示装置有效

专利信息
申请号: 200910107055.1 申请日: 2009-05-05
公开(公告)号: CN101552270A 公开(公告)日: 2009-10-07
发明(设计)人: 颜思琳;黄金海;汪广魁 申请(专利权)人: 深圳华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L23/528;H01L29/92;H01L29/786;H01L29/41;G02F1/1368
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 代理人: 张全文
地址: 518000广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明适用于显示面板的技术领域,提供了一种像素结构,通过电容补偿部与扫描配线在水平方向上形成的横向补偿电容来补偿因制程中的对位偏移所造成的闸极-汲极寄生电容的变异,从而减轻显示面板的画面闪烁问题。此外,应用于“减少数据配线数量”的像素结构设计时,在此所提出的像素结构设计更有助于减小相邻两像素结构之间因制程对位偏移造成的电容差异,而有助于提高显示均匀度。另外,一种应用此像素结构的薄膜晶体管阵列基板、显示面板以及显示装置亦被提出。
搜索关键词: 像素 结构 薄膜晶体管 阵列 显示 面板 以及 显示装置
【主权项】:
1.一种像素结构,其特征在于,所述像素结构包括:一第一扫描配线;一第二扫描配线,所述第一扫描配线的延伸方向与所述第二扫描配线的延伸方向相互平行;一数据配线,与所述第一扫描配线以及所述第二扫描配线相交,而定义出一像素区;一薄膜晶体管,位于所述像素区内,所述薄膜晶体管具有一闸极、一源极以及一汲极,其中所述闸极连接所述第一扫描配线,所述源极连接所述数据配线,且所述汲极与所述闸极在一垂直方向上具有一重迭区域而产生一闸极-汲极寄生电容;一像素电极,位于所述像素区内,且所述像素电极电性连接至所述汲极;以及一电容补偿部,电性连接至所述像素电极,且所述电容补偿部与所述第一扫描配线或所述第二扫描配线在一水平方向上维持一间距而诱发一补偿电容,所述汲极以及所述电容补偿部被设置为:当所述重迭区域减小而导致所述闸极-汲极寄生电容降低时,所述间距相应地减小,以增加所述补偿电容,且当所述重迭区域变大而导致所述闸极-汲极寄生电容增加时,所述间距相应地变大,以降低所述补偿电容。
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