[发明专利]像素结构、薄膜晶体管阵列基板、显示面板以及显示装置

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括：

一第一扫描配线；

一第二扫描配线，所述第一扫描配线的延伸方向与所述第二扫描配线的延伸方向相互平行；

一数据配线，与所述第一扫描配线以及所述第二扫描配线相交，而定义出一像素区；

一薄膜晶体管，位于所述像素区内，所述薄膜晶体管具有一闸极、一源极以及一汲极，其中所述闸极连接所述第一扫描配线，所述源极连接所述数据配线，且所述汲极与所述闸极在一垂直方向上具有一重迭区域而产生一闸极-汲极寄生电容；

一像素电极，位于所述像素区内，且所述像素电极电性连接至所述汲极；以及

一电容补偿部，电性连接至所述像素电极，且所述电容补偿部与所述第一扫描配线或所述第二扫描配线在一水平方向上维持一间距而诱发一补偿电容，所述汲极以及所述电容补偿部被设置为：

当所述重迭区域减小而导致所述闸极-汲极寄生电容降低时，所述间距相应地减小，以增加所述补偿电容，且当所述重迭区域变大而导致所述闸极-汲极寄生电容增加时，所述间距相应地变大，以降低所述补偿电容。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述电容补偿部是沿着所述第一扫描配线或所述第二扫描配线延伸的条状结构；

所述电容补偿部与所述像素电极分别位于所述第一扫描配线的相对两侧；所述像素结构还包括：

一连接部，横越所述第一扫描配线，并且连接于所述电容补偿部与所述汲极之间；

所述像素结构还包括：

一共享配线，位于所述像素区内，并且沿着所述像素电极的外围配置。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述电容补偿部是沿着所述第一扫描配线或所述第二扫描配线延伸的块状结构；所述电容补偿部位于所述像素区内，所述汲极邻近所述第一扫描配线，而所述电容补偿部邻近所述第二扫描配线并与所述第二扫描配线在所述水平方向上维持所述间距；

所述像素结构还包括：

一共享配线，位于所述像素区内，并且沿着所述像素电极的外围配置。

4.一种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括：

一第一扫描配线；

一第二扫描配线，所述第一扫描配线的延伸方向与所述第二扫描配线的延伸方向相互平行；

一数据配线，与所述第一扫描配线以及所述第二扫描配线相交，而定义出相邻的一第一像素区以及一第二像素区，所述第一像素区与所述第二像素区分别位于所述数据配线的相对两侧；

一第一薄膜晶体管，位于所述第一像素区内，所述第一薄膜晶体管具有一第一闸极、一第一源极以及一第一汲极，其中所述第一闸极连接所述第一扫描配线，所述第一源极连接所述数据配线，且所述第一汲极与所述第一闸极在一垂直方向上具有一第一重迭区域而产生一第一闸极-汲极寄生电容；

一第一像素电极，位于所述第一像素区内，且所述第一像素电极电性连接至所述第一汲极；

一第一电容补偿部，电性连接至所述第一像素电极，且所述第一电容补偿部与所述第一扫描配线或所述第二扫描配线在一水平方向上维持一第一间距而诱发一第一补偿电容，所述第一汲极以及所述第一电容补偿部被设置为：当所述第一重迭区域减小而导致所述第一闸极-汲极寄生电容降低时，所述第一间距相应地减小，以增加所述第一补偿电容，且当所述第一重迭区域变大而导致所述第一闸极-汲极寄生电容增加时，所述第一间距相应地变大，以降低所述第一补偿电容；

一第二薄膜晶体管，位于所述第二像素区内，所述第二薄膜晶体管具有一第二闸极、一第二源极以及一第二汲极，其中所述第二闸极连接所述第二扫描配线，所述第二源极连接所述数据配线，且所述第二汲极与所述第二闸极在所述垂直方向上具有一第二重迭区域而产生一第二闸极-汲极寄生电容；

一第二像素电极，位于所述第二像素区内，且所述第二像素电极电性连接至所述第二汲极；以及

一第二电容补偿部，电性连接至所述第二像素电极，且所述第二电容补偿部与所述第一扫描配线或所述第二扫描配线在所述水平方向上维持一第二间距而诱发一第二补偿电容，所述第二汲极以及所述第二电容补偿部被设置为：当所述第二重达区域减小而导致所述第二闸极-汲极寄生电容降低时，所述第二间距相应地减小，以增加所述第二补偿电容，且当所述第二重迭区域变大而导致所述第二闸极-汲极寄生电容增加时，所述第二间距相应地变大，以降低所述第二补偿电容。