[发明专利]增强EEPROM持久性的方法和装置有效
| 申请号： | 200910106539.4 | 申请日： | 2009-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101859603A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 邓锦辉;刘阳;胡小波;施爱群 | 申请（专利权）人： | 辉芒微电子(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | G11C19/10 | 分类号： | G11C19/10;G11C16/30;G11C16/06 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 518057 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种增强EEPROM持久性的方法和装置。所述方法包括对于采用浮栅隧道氧化物结构的EEPROM，在其擦除或写入期间采用可控高压信号将栅氧化层的电场强度控制在10MV/cm～15MV/cm之间。所述装置包括：时钟产生驱动电路，用于生成时钟驱动信号；电荷泵，用于根据所述时钟驱动信号产生可控高压信号；其中所述可控高压信号用于在采用浮栅隧道氧化物结构的EEPROM的擦除或写入期间将其栅氧化层的电场强度控制在10MV/cm～15MV/cm之间。实施本发明的增强EEPROM的持久性的方法的装置，通过将栅氧化层上的电场强度控制在一个合理的范围内，降低其峰值，从而有效地增强了其持久性，并且通过采用不同的可控高压信号上升速度，还能缩短写入和擦除时间。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 eeprom 持久性 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种增强EEPROM的持久性的方法，其特征在于，包括对于采用浮栅隧道氧化物结构的EEPROM，在其擦除或写入期间采用可控高压信号将栅氧化层的电场强度控制在10MV/cm～15MV/cm之间。
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