[发明专利]增强EEPROM持久性的方法和装置

权利要求书

1.一种增强EEPROM的持久性的方法，其特征在于，包括对于采用浮栅隧道氧化物结构的EEPROM，在其擦除或写入期间采用可控高压信号将栅氧化层的电场强度控制在10MV/cm～15MV/cm之间。

2.根据权利要求1所述的增强EEPROM的持久性的方法，其特征在于，所述方法包括在EEPROM的擦除期间，通过调节控制栅上电压的上升速度来控制栅氧化层的电场强度；在EEPROM的写入期间，通过调节漏极电压的上升速度来控制栅氧化层的电场强度。

3.根据权利要求2所述的增强EEPROM的持久性的方法，其特征在于，当栅氧化层的电场强度小于10MV/cm时，所述可控高压信号以第一速度上升；否则所述可控高压信号以第二速度上升并将栅氧化层的电场强度控制在10MV/cm～15MV/cm之间，其中所述第二速度低于第一速度。

4.根据权利要求3所述的增强EEPROM的持久性的方法，其特征在于，所述可控高压信号由电荷泵产生。

5.根据权利要求4所述的增强EEPROM的持久性的方法，其特征在于，通过调节所述电荷泵的负载或电荷泵的输入频率来调节所述可控高压信号。

6.一种增强EEPROM的持久性的装置，其特征在于，包括：

时钟产生驱动电路，用于生成时钟驱动信号；

电荷泵，用于根据所述时钟驱动信号产生可控高压信号；其中

所述可控高压信号用于在采用浮栅隧道氧化物结构的EEPROM的擦除或写入期间将其栅氧化层的电场强度控制在10MV/cm～15MV/cm之间。

7.根据权利要求6所述的增强EEPROM的持久性的装置，其特征在于，进一步包括信号调节装置，当栅氧化层的电场强度小于10MV/cm时，所述信号调节装置调节所述可控高压信号以第一速度上升；否则所述信号调节装置调节所述可控高压信号以第二速度上升并将栅氧化层的电场强度控制在10MV/cm～15MV/cm之间，其中所述第二速度低于第一速度。

8.根据权利要求7所述的增强EEPROM的持久性的装置，其特征在于，所述信号调节装置是与电荷泵连接的负载。

9.根据权利要求8所述的增强EEPROM的持久性的装置，其特征在于，所述负载是可调电阻或可控电流阱。

10.根据权利要求7所述的增强EEPROM的持久性的装置，其特征在于，所述信号调节装置包括：电压偏置电路，用于提供不同的电压偏置信号；计时器，用于产生计时信号；多路选择器，用于根据所述计时信号选择不同的电压偏置信号以提供给时钟产生驱动电路；

所述时钟产生驱动电路根据所述电压偏置信号产生不同的时钟驱动信号以提供给电荷泵，从而控制所述可控高压信号的上升速度。