[发明专利]一种在塑料材料表面磁控溅射制备化合物薄膜的方法无效
| 申请号： | 200910102122.0 | 申请日： | 2009-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN101629279A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 高基伟;阮一清;彭伟;唐赵宝;宋利权;赵斌通 | 申请（专利权）人： | 杭州博纳特光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C08J7/04 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310012浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的在塑料表面磁控溅射制备化合物薄膜的方法，采用的是反应性磁控溅射镀膜法，在塑料板材或膜材表面磁控溅射镀膜，靶材为金属靶材Ti、Al、Si或Zr。采用本发明制备方法，通过改变靶材可以对塑料表面进行改性处理，使塑料材料获得电子元件、家用电器、数码产品所需的独特的光、电、化学或机械、装饰特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 塑料 材料 表面 磁控溅射 制备 化合物 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在塑料表面磁控溅射制备化合物薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：(1)自动式连续磁控溅射镀膜机的背底真空度抽至≤4.5×10-3Pa后，通入Ar气达到工作真空度5.5×10-1Pa，真空室、过渡室连续抽气，调整靶电流为4.5-10.5A，预溅射靶材，所说的靶材为金属靶材Ti、Al、Si或Zr；(2)将透明塑料材料固定于镀膜机的基片架上，清洁塑料材料表面，消除表面静电并吹去污染物；(3)通过气体质量流量计，控制反应性气体的流量为5-500ml/min，并将反应气体预混均匀，进行镀膜前准备；(4)基片架进入镀膜机低真空厢体段，进行20-90℃、0.5-3min的预热处理；(5)基片架进入镀膜室，在靶材前往复走动1-20次，进行反应性磁控溅射沉积镀膜。
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