[发明专利]一种在塑料材料表面磁控溅射制备化合物薄膜的方法无效
| 申请号： | 200910102122.0 | 申请日： | 2009-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN101629279A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 高基伟;阮一清;彭伟;唐赵宝;宋利权;赵斌通 | 申请（专利权）人： | 杭州博纳特光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C08J7/04 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310012浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 塑料 材料 表面 磁控溅射 制备 化合物 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在塑料表面磁控溅射制备化合物薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)自动式连续磁控溅射镀膜机的背底真空度抽至≤4.5×10-3Pa后，通入Ar气达到工作真空度5.5×10-1Pa，真空室、过渡室连续抽气，调整靶电流为4.5-10.5A，预溅射靶材，所说的靶材为金属靶材Ti、A1或Zr，或者是Si；
(2)将透明塑料材料固定于镀膜机的基片架上，清洁塑料材料表面，消除表面静电并吹去污染物；
(3)通过气体质量流量计，控制反应性气体的流量为5-500ml/min，并将反应气体预混均匀，进行镀膜前准备；
(4)基片架进入镀膜机低真空箱体段，进行20-90℃、0.5-3min的预热处理；
(5)基片架进入镀膜室，在靶材前往复走动1-20次，进行反应性磁控溅射沉积镀膜。
2.根据权利要求1所述的在塑料表面磁控溅射制备化合物薄膜的方法，其特征在于所说的反应性气体为O2、N2、CH4和C2H2中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的在塑料表面磁控溅射制备化合物薄膜的方法，其特征在于反应气体通过围绕靶材周边一圈的布气管上均匀分布的布气孔进入镀膜室。
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