[发明专利]在氮气下铸造氮浓度可控的掺氮多晶硅的方法无效
| 申请号： | 200910099996.5 | 申请日： | 2009-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101597792A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 杨德仁;余学功;阙端麟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了在氮气下铸造氮浓度可控的掺氮多晶硅的方法，通过在氮气保护下定向凝固铸造多晶硅，实现在多晶硅中掺氮，并通过改变氮气的压力和流量来控制掺氮的浓度，定向凝固铸造得到氮浓度可控的掺氮多晶硅，其具有较高的机械强度，用于太阳能电池中可切割为更薄的硅片，从而降低太阳能电池的生产成本；还可进一步用于生产机械强度可控的掺氮多晶硅。本发明还公开了上述方法得到的掺氮多晶硅，含有浓度为1×1015～1×1017/cm3的硼、镓和磷，还含有浓度为1×1013～5×1015/cm3的氮。 | ||
| 搜索关键词： | 氮气 铸造 浓度 可控 多晶 方法 | ||
【主权项】：
1、在氮气下铸造氮浓度可控的掺氮多晶硅的方法，包括以下步骤：(1)将多晶硅原料置于坩埚内，加入电活性掺杂剂，装炉；其中，电活性掺杂剂为硼、镓或磷；(2)氩气保护下将多晶硅原料及电活性掺杂剂加热至完全融化，加热温度为硅熔点以上；(3)将氩气换成氮气，氮气的压力为5～200Torr，流量为1～200L/min，以1～4mm/min的速度提升炉内保温罩并冷却坩锅底部，定向凝固形成含氮浓度为1×1013～5×1015/cm3的掺氮多晶硅；所述的电活性掺杂剂的加入量以形成的掺氮多晶硅中含有的硼、镓或磷浓度为1×1015～1×1017/cm3计。
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