[发明专利]一种在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法，所采用的镀膜机包括真空室、磁控溅射源、线性离子源和兼具公转和自转的工件托架，工件托架安装在真空室内部，其特征在于：包括如下步骤：(1)将陶瓷阀芯在酒精、丙酮溶液中进行超声清洗，干燥后，悬挂固定于工件托架上，使磁控溅射源与线性离子源环绕在陶瓷阀芯周围；(2)在磁控溅射源上安装由过渡金属制成的金属靶，对陶瓷阀芯进行离子轰击；(3)开启磁控溅射源电源，对陶瓷阀芯进行第一层薄膜沉积；(4)启动线性离子源，对陶瓷阀芯进行第二层薄膜沉积；(5)对陶瓷阀芯进行第三层薄膜沉积。本发明通过对陶瓷阀芯进行三层防护薄膜沉积，可以极大幅度地提高陶瓷阀芯的耐磨密封性能和使用寿命。

主权项

1、一种在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法，所采用的镀膜机包括真空室、磁控溅射源、线性离子源和兼具公转和自转的工件托架，工件托架安装在真空室内部，其特征在于：包括如下步骤：(1)、将陶瓷阀芯先在丙酮溶液中进行超声清洗，再在酒精溶液中进行超声清洗，干燥后，悬挂固定于工件托架上，使磁控溅射源与线性离子源环绕在陶瓷阀芯周围；(2)、在磁控溅射源上安装由过渡金属制成的金属靶，将真空室抽真空至小于2.0×10-5Torr后，通入惰性气体，开启线性离子源，调整陶瓷阀芯的负偏压为0～300V，对陶瓷阀芯进行离子轰击，工作时间为5～40分钟后，关闭线性离子源；(3)、对陶瓷阀芯进行第一层薄膜沉积，调整陶瓷阀芯的负偏压为-50～-200V，开启磁控溅射源电源，调整磁控溅射源的工作电流为2～3A，通入惰性气体，工作时间为：10～15分钟左右；(4)、对陶瓷阀芯进行第二层薄膜沉积，保持步骤(3)中的工作条件不变，立刻启动线性离子源，调整线性离子源的工作电流为0.1～0.2A；同时通入含碳气源，工作时间为10～15分钟左右；(5)、对陶瓷阀芯进行第三层薄膜沉积，设置线性离子源的工作电流为0.1～0.2A，线性离子源的工作电压为：1000～1300V，调整陶瓷阀芯的负偏压为-50～-200V，工作时间为：60～100分钟。