[发明专利]一种在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法有效
| 申请号: | 200910098711.6 | 申请日: | 2009-05-14 |
| 公开(公告)号: | CN101550539A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
| 发明(设计)人: | 汪爱英;孙丽丽;代伟;吴国松 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司: | 宁波诚源专利事务所有限公司 | 代理人: | 袁忠卫 |
| 地址: | 315201浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 陶瓷 表面 沉积 防护 薄膜 方法 | ||
1.一种在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法,所采用的镀膜机包括真空室、磁控溅射源、线性离子源和兼具公转和自转的工件托架,工件托架安装在真空室内部,其特征在于:包括如下步骤:
(1)、将陶瓷阀芯先在丙酮溶液中进行超声清洗,再在酒精溶液中进行超声清洗,干燥后,悬挂固定于工件托架上,使磁控溅射源与线性离子源环绕在陶瓷阀芯周围;
(2)、在磁控溅射源上安装由过渡金属制成的金属靶,将真空室抽真空至小于2.0×10-5Torr后,通入惰性气体,开启线性离子源,调整陶瓷阀芯的负偏压为0~300V,对陶瓷阀芯进行离子轰击,工作时间为5~40分钟后,关闭线性离子源;
(3)、对陶瓷阀芯进行第一层薄膜沉积,调整陶瓷阀芯的负偏压为-50~-200V,开启磁控溅射源电源,调整磁控溅射源的工作电流为2~3A,通入惰性气体,工作时间为:10~15分钟;
(4)、对陶瓷阀芯进行第二层薄膜沉积,保持步骤(3)中的工作条件不变,立刻启动线性离子源,调整线性离子源的工作电流为0.1~0.2A;同时通入含碳气源,工作时间为10~15分钟;
(5)、对陶瓷阀芯进行第三层薄膜沉积,设置线性离子源的工作电流为0.1~0.2A,线性离子源的工作电压为:1000~1300V,调整陶瓷阀芯的负偏压为-50~-200V,工作时间为:60~100分钟。
2.根据权利要求1所述的在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法,其特征在于:所述步骤(2)中过渡金属为铬或钛或钨。
3.根据权利要求1或2所述的在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法,其特征在于:所述步骤(4)中通入的含碳气源为甲烷或乙炔。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所,未经中国科学院宁波材料技术与工程研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910098711.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种数控机床的自动送料装置
- 下一篇:一种不锈钢餐具毛坯自动送料机构
- 同类专利
- 专利分类





