[发明专利]一种在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法有效

专利信息
申请号: 200910098711.6 申请日: 2009-05-14
公开(公告)号: CN101550539A 公开(公告)日: 2009-10-07
发明(设计)人: 汪爱英;孙丽丽;代伟;吴国松 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06
代理公司: 宁波诚源专利事务所有限公司 代理人: 袁忠卫
地址: 315201浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 陶瓷 表面 沉积 防护 薄膜 方法
【权利要求书】:

1.一种在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法,所采用的镀膜机包括真空室、磁控溅射源、线性离子源和兼具公转和自转的工件托架,工件托架安装在真空室内部,其特征在于:包括如下步骤:

(1)、将陶瓷阀芯先在丙酮溶液中进行超声清洗,再在酒精溶液中进行超声清洗,干燥后,悬挂固定于工件托架上,使磁控溅射源与线性离子源环绕在陶瓷阀芯周围;

(2)、在磁控溅射源上安装由过渡金属制成的金属靶,将真空室抽真空至小于2.0×10-5Torr后,通入惰性气体,开启线性离子源,调整陶瓷阀芯的负偏压为0~300V,对陶瓷阀芯进行离子轰击,工作时间为5~40分钟后,关闭线性离子源;

(3)、对陶瓷阀芯进行第一层薄膜沉积,调整陶瓷阀芯的负偏压为-50~-200V,开启磁控溅射源电源,调整磁控溅射源的工作电流为2~3A,通入惰性气体,工作时间为:10~15分钟;

(4)、对陶瓷阀芯进行第二层薄膜沉积,保持步骤(3)中的工作条件不变,立刻启动线性离子源,调整线性离子源的工作电流为0.1~0.2A;同时通入含碳气源,工作时间为10~15分钟;

(5)、对陶瓷阀芯进行第三层薄膜沉积,设置线性离子源的工作电流为0.1~0.2A,线性离子源的工作电压为:1000~1300V,调整陶瓷阀芯的负偏压为-50~-200V,工作时间为:60~100分钟。

2.根据权利要求1所述的在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法,其特征在于:所述步骤(2)中过渡金属为铬或钛或钨。

3.根据权利要求1或2所述的在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法,其特征在于:所述步骤(4)中通入的含碳气源为甲烷或乙炔。

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