[发明专利]台面型晶闸管浪涌抑制器芯片及其制作方法无效
申请号: | 200910096325.3 | 申请日: | 2009-02-20 |
公开(公告)号: | CN101814500A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | 邓爱民;保爱林;谢晓东 | 申请(专利权)人: | 绍兴旭昌科技企业有限公司 |
主分类号: | H01L27/082 | 分类号: | H01L27/082;H01L21/8222;H01L21/22;H01L29/747;H01L29/06 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 徐关寿 |
地址: | 312000 浙江省绍*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种台面型晶闸管浪涌抑制器芯片及其制作方法。它包括硅基片,短基区及发射区,在硅基片的边缘设有台面,在台面上还覆盖有高温玻璃,硅基片采用研磨片。其制作方法包括a.在硅基片两面同时掺入杂质,形成短基区,b.在短基区上两面同时掺入高浓度杂质,形成第一导电类型层和发射结,c.利用光刻技术和化学腐蚀法形成发射区图形及台面并在台面四周做一层高温玻璃,d.完成表面金属化。本发明具有结构合理,可靠性好,制造成本低廉等优点。 | ||
搜索关键词: | 台面 晶闸管 浪涌 抑制器 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种台面型晶闸管浪涌抑制器芯片,包括硅基片(4),短基区(1)及发射区(2),其特征在于:在硅基片(4)的边缘设有台面(3),在台面(3)上还覆盖有高温玻璃(5),硅基片(4)采用研磨片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的