[发明专利]台面型晶闸管浪涌抑制器芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种台面型晶闸管浪涌抑制器芯片，包括硅基片(4)，短基区(1)及发射区(2)，其特征在于：在硅基片(4)的边缘设有台面(3)，在台面(3)上还覆盖有高温玻璃(5)，硅基片(4)采用研磨片。

2.根据权利要求1所述的台面型晶闸管浪涌抑制器芯片，其特征在于：发射区(2)图形采用化学腐蚀法形成。

3.根据权利要求1所述的台面型晶闸管浪涌抑制器芯片，其特征在于：短基区(1)及发射区(2)均采用叠片式高温扩散实现，芯片表面镀镍。

4.一种制作如权利要求1或2或3所述的台面型晶闸管浪涌抑制器芯片的方法，其特征在于其制作方法包括：

a.在第一导电类型的硅基片(4)两面同时掺入第二导电型杂质，这一过程可通过叠片式高温扩散的方法实现，此过程在两面形成第二导电类型层、即主PN结，这一层也叫短基区(1)，

b.再用同样方法在短基区(1)上两面同时掺入高浓度的可使第二导电类型层重新变为电阻率更低的第一导电类型层的杂质并在其上再形成第一导电类型层和发射结(2)，这一电阻率更低的第一导电类型层也叫发射区，

c.利用光刻技术和化学腐蚀法将部分发射区除去以形成符合实际要求的发射区图形，然后用光刻、腐蚀方法形成台面(3)并在台面(3)四周做一层高温玻璃(5)使主结与外界隔离，

d.利用本行业通用的化学镀镍方法完成表面金属化。