[发明专利]一种镀膜外延圆硅片表面及边缘的处理方法无效
| 申请号： | 200910095530.8 | 申请日： | 2009-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN101474773A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 郜勇军;方建和 | 申请（专利权）人： | 郜勇军 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B9/06;H01L21/304 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 | 代理人： | 舒 良 |
| 地址： | 324300浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种镀膜外延圆硅片表面及边缘的处理方法，该方法是先将镀膜外延圆硅片按不同的镀层分类后，再按不同厚度分档，然后置于常规的硅片研磨机研磨至表面镀层磨完为止，之后，将倒角砂轮装在电机上打磨边缘镀层至磨完为止。本发明由于采用机械进行镀膜外延圆硅片表面及边缘的处理，与原来采用酸液腐蚀的化学方法截然不同，生产成本低，且能提高成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 镀膜 外延 硅片 表面 边缘 处理 方法 | ||
【主权项】：
1、一种镀膜外延圆硅片表面及边缘的处理方法，其特征在于先将镀膜外延圆硅片按不同的镀层分类后，再按不同厚度分档，然后置于常规的硅片研磨机研磨至表面镀层磨完为止，之后，将倒角砂轮装在电机上打磨边缘镀层至磨完为止。
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