[发明专利]一种镀膜外延圆硅片表面及边缘的处理方法

说明书

所属技术领域

本发明涉及一种镀膜外延圆硅片表面及边缘的处理方法。

背景技术

目前，我们在将镀膜外延圆硅片处理成太阳能级单晶硅原材料时，通常采用酸液腐蚀方法，即将镀膜外延圆硅片置于浓度至少在99％以上的酸液中浸泡，先要腐蚀剥离表面金属层或镀膜度，然后再清洗金属扩散层，这种方法不仅对酸的浓度要求高，使用几次后就作为废酸处理，废酸处理难度大，环保性差，且成本高。而且在浸泡过程中需要经常翻动，并精确掌握腐蚀时间，否则腐蚀过度，导致成品率低。

发明内容

本发明的目的是提供生产成本低，且成品率高的一种镀膜外延圆硅片表面及边缘的处理方法。

本发明采取的技术方案是：一种镀膜外延圆硅片表面及边缘的处理方法，其特征在于先将镀膜外延圆硅片按不同的镀层分类后，再按不同厚度分档，然后置于常规的硅片研磨机研磨至表面镀层磨完为止，之后，将倒角砂轮装在电机上打磨边缘镀层至磨完为止。

本发明由于采用机械进行镀膜外延圆硅片表面及边缘的处理，与原来采用酸液腐蚀的化学方法截然不同，生产成本低，且能提高成品率。

具体实施方式

下面结合具体的实施例对本发明作进一步说明。

1、将镀膜外延圆硅片按不同的镀层分类。

2、再按镀膜外延圆硅片不同厚度分档。

3、在常规的硅片研磨机研磨至表面镀层磨完为止。

4、将倒角砂轮装于转速在电机上进行手工倒角，打磨边缘镀层至磨完为止。