[发明专利]图形化碳纳米管薄膜或阵列的方法无效
| 申请号： | 200910092603.8 | 申请日： | 2009-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN101654219A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 刘忠范;章国明;吴迪;焦丽颖 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;C01B31/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 关 畅 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种图形化碳纳米管薄膜或阵列的方法。该方法，包括如下步骤：1)在生长基底上制备碳纳米管薄膜或阵列；2)在石英基底上制备钛金属层；3)将所述步骤2)制备得到的钛金属层氧化为二氧化钛层；4)在石英基底上制备铬光掩膜；5)将所述铬光掩膜置于最上层，所述二氧化钛层置于第二层，所述二氧化钛层中的二氧化钛层与向下，所述碳纳米管薄膜或阵列置于最下层，在紫外光下进行照射，照射完毕移去所述铬光掩模和所述二氧化钛层，完成所述碳纳米管薄膜或阵列的图形化。该方法能够直接在生长基底表面对碳管阵列进行图形化加工，受基底限制少，工艺简单，成本低，与现有光刻工艺相兼容，对未来的碳纳米管集成器件制备有重要的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 纳米 薄膜 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1、一种对碳纳米管薄膜或阵列进行图形化的方法，包括如下步骤：1)在生长基底上制备碳纳米管薄膜或阵列；2)在石英基底上制备钛金属层；3)将所述步骤2)制备得到的钛金属层氧化为二氧化钛层；4)在石英基底上制备铬光掩膜；5)将所述铬光掩膜置于最上层，所述二氧化钛层置于第二层，所述碳纳米管薄膜或阵列置于最下层，所述二氧化钛层中的二氧化钛与所述碳纳米管薄膜或阵列接触，用紫外光进行照射，照射完毕移去所述铬光掩模和所述二氧化钛层，完成所述碳纳米管薄膜或阵列的图形化。
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