[发明专利]一种用于双色碲镉汞器件的干法刻蚀方法及刻蚀装置无效
申请号: | 200910092188.6 | 申请日: | 2009-09-04 |
公开(公告)号: | CN101640230A | 公开(公告)日: | 2010-02-03 |
发明(设计)人: | 李震;孙浩;王成刚;朱西安 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01J37/32 |
代理公司: | 信息产业部电子专利中心 | 代理人: | 梁 军 |
地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于双色碲镉汞器件干法刻蚀的刻蚀方法及刻蚀装置,所述装置包括:一个射频源与环绕在反应腔室周围的电感耦合线圈相连,另一个射频源与反应室下端的下电极相连。所述方法包括以下步骤:在碲镉汞器件表面形成光刻胶掩膜图形;将所述碲镉汞器件固定在刻蚀装置内,然后对所述刻蚀装置抽真空;通入氩气、氢气和甲烷的混合气体,进行干法刻蚀。本发明在双色碲镉汞探测器的台面成型工艺中,有效地地降低了深台面双色器件表面的干法刻蚀损伤,从而在很大程度上降低了双色器件台面侧壁的表面漏电流,解决了双色碲镉汞深台面器件台面成型工艺表面损伤高,造成器件电学性能差、成品率低等一系列技术问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 双色碲镉汞 器件 刻蚀 方法 装置 | ||
【主权项】:
1、一种用于双色碲镉汞器件干法刻蚀的刻蚀装置,其特征在于,所述装置包括两个独立的射频源,其中,一个射频源与环绕在反应腔室周围的电感耦合线圈相连,另一个射频源与反应室下端的下电极相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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