[发明专利]一种用于双色碲镉汞器件的干法刻蚀方法及刻蚀装置无效

专利信息
申请号: 200910092188.6 申请日: 2009-09-04
公开(公告)号: CN101640230A 公开(公告)日: 2010-02-03
发明(设计)人: 李震;孙浩;王成刚;朱西安 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十一研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01J37/32
代理公司: 信息产业部电子专利中心 代理人: 梁 军
地址: 100015*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种用于双色碲镉汞器件干法刻蚀的刻蚀方法及刻蚀装置,所述装置包括:一个射频源与环绕在反应腔室周围的电感耦合线圈相连,另一个射频源与反应室下端的下电极相连。所述方法包括以下步骤:在碲镉汞器件表面形成光刻胶掩膜图形;将所述碲镉汞器件固定在刻蚀装置内,然后对所述刻蚀装置抽真空;通入氩气、氢气和甲烷的混合气体,进行干法刻蚀。本发明在双色碲镉汞探测器的台面成型工艺中,有效地地降低了深台面双色器件表面的干法刻蚀损伤,从而在很大程度上降低了双色器件台面侧壁的表面漏电流,解决了双色碲镉汞深台面器件台面成型工艺表面损伤高,造成器件电学性能差、成品率低等一系列技术问题。
搜索关键词: 一种 用于 双色碲镉汞 器件 刻蚀 方法 装置
【主权项】:
1、一种用于双色碲镉汞器件干法刻蚀的刻蚀装置,其特征在于,所述装置包括两个独立的射频源,其中,一个射频源与环绕在反应腔室周围的电感耦合线圈相连,另一个射频源与反应室下端的下电极相连。
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