[发明专利]一种用于双色碲镉汞器件的干法刻蚀方法及刻蚀装置

权利要求书

1、一种用于双色碲镉汞器件干法刻蚀的刻蚀装置，其特征在于，所述装置包括两个独立的射频源，其中，一个射频源与环绕在反应腔室周围的电感耦合线圈相连，另一个射频源与反应室下端的下电极相连。

2、一种利用权利要求1所述的刻蚀装置进行干法刻蚀的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

在碲镉汞器件表面形成光刻胶掩膜图形；

将所述碲镉汞器件固定在刻蚀装置内，然后对所述刻蚀装置抽真空；

通入氩气、氢气和甲烷的混合气体，进行干法刻蚀。

3、如权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述刻蚀装置抽真空，要求真空度小于10nbar。

4、如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氩气、氢气和甲烷的混合比例为：5～10∶5～10∶1～5。

5、如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述电感耦合线圈功率为150-300W，下电极处的射频功率为20-150W。

6、如权利要求2所述的方法，其特征在于，通入混合气体后，反应腔室中的工作压力1-20mTorr。

7、如权利要求2所述的方法，其特征在于，在干法刻蚀之后，还包括以下步骤：

将所述碲镉汞器件浸入丙酮溶液中，去除图形表面的光刻胶，再用去离子水将丙酮溶液冲洗干净；

将冲洗干净的所述碲镉汞器件放入溴甲醇溶液中，对其进行湿化学腐蚀，腐蚀结束后，再用去离子水将溴甲醇冲洗干净。

8、如权利要求7所述的方法，其特征在于，在湿化学腐蚀之后，还包括：对所述碲镉汞器件进行钝化膜层生长。

9、如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述钝化膜层为的CdTe加的ZnS。

10、如权利要求8所述的方法，其特征在于，对生长钝化膜层后的碲镉汞器件进行热处理，其中，热处理温度为200-300℃，热处理时间为5-20分钟。