[发明专利]掩模层三维结构转移的MEMS体硅工艺方法有效
| 申请号： | 200910092035.1 | 申请日： | 2009-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101648695A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 张富强;杨静;孟美玉 | 申请（专利权）人： | 北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所 |
| 主分类号： | B81C5/00 | 分类号： | B81C5/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 | 代理人： | 安 丽 |
| 地址： | 100076北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 掩模层三维结构转移的MEMS体硅工艺方法，包括掩模层三维结构制备步骤和掩模层三维结构向硅衬底片转移步骤。在深槽结构加工之前完先制备硅衬底片的掩模层，然后针对硅衬底片上N个不同区域对应的N个加工深度对掩模层进行N次图形化处理从而形成掩模层的三维结构，然后把制备好的掩模层三维结构通过湿法腐蚀或干法刻蚀工艺转移到硅衬底片上，在硅衬底片上进行N次深槽结构加工，得到具有N个不同深度的MEMS体硅结构，N次深槽结构加工后去除所有掩模层，形成具有N个不同深度的MEMS体硅结构。本发明在降低了图形化难度的同时提高了图形化的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 掩模层 三维 结构 转移 mems 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1、掩模层三维结构转移的MEMS体硅工艺方法，其特征在于包括：掩模层三维结构制备步骤和掩模层三维结构向硅衬底片转移步骤；掩模层三维结构制备步骤为：首先制备硅衬底片的掩模层，然后针对硅衬底片上N个不同区域对应的N个加工深度对掩模层进行N次图形化处理从而形成掩模层的三维结构，其中硅衬底片上的每一个加工深度对应一次掩模层图形化处理工艺；掩模层三维结构向硅衬底片转移步骤为：把制备好的掩模层三维结构通过湿法腐蚀或干法刻蚀工艺转移到硅衬底片上，在硅衬底片上进行N次深槽结构加工，得到具有N个不同深度的MEMS体硅结构，相邻两次深槽结构加工之间对掩模层进行整体减薄，露出硅衬底片需要进行深槽结构加工的相应区域，N次深槽结构加工后去除所有掩模层，形成具有N个不同深度的MEMS体硅结构，其中N为自然数。
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