[发明专利]掩模层三维结构转移的MEMS体硅工艺方法

权利要求书

1.掩模层三维结构转移的MEMS体硅工艺方法，其特征在于包括：掩模 层三维结构制备步骤和掩模层三维结构向硅衬底片转移步骤；

掩模层三维结构制备步骤为：首先制备硅衬底片的掩模层，然后针对硅衬 底片上N个不同区域对应的N个加工深度对掩模层进行N次图形化处理从而 形成掩模层的三维结构，其中硅衬底片上的每一个加工深度对应一次掩模层图 形化处理工艺；

掩模层三维结构向硅衬底片转移步骤为：把制备好的掩模层三维结构通过 湿法腐蚀或干法刻蚀工艺转移到硅衬底片上，在硅衬底片上进行N次深槽结构 加工，得到具有N个不同深度的MEMS体硅结构，相邻两次深槽结构加工之 间对掩模层进行整体减薄，露出硅衬底片需要进行深槽结构加工的相应区域， N次深槽结构加工后去除所有掩模层，形成具有N个不同深度的MEMS体硅 结构；

所述掩模层三维结构制备步骤中对掩模层进行N次图形化处理的方法为： 将N个不同区域记为An，N个不同区域对应的N个加工深度记为Dn，其中 Dn＞Dn-1＞...＞D2＞D1，则第N次图形化所对应区域记为Mn，每次图形化处理 对应区域为M1＝A1+A2+...+An-1+An；M2＝A2+A3+...+An-1+An；M3＝ A3+A4+...+An-1+An；......；Mn-1＝An-1+An；Mn＝An，其中n为自然数；

所述掩模层三维结构向硅衬底片转移步骤中每次深槽加工的深度为：第n 次硅衬底片深槽加工的加工深度记为DSn，DS1＝Dn-Dn-1、 DS2＝Dn-1-Dn-2、......、DSn-1＝D2-D1、DSn＝D1，其中n为自然数；

所述掩模层为氧化硅、氮化硅、磷硅酸玻璃、硼硅酸玻璃、硼磷硅酸玻璃、 铝、金、铬、钨和光刻胶中的一种或几种；

所述掩模层三维结构向硅衬底片转移步骤中对掩模层进行整体减薄的方法 采取湿法腐蚀或干法刻蚀。