[发明专利]一种非制冷红外成像器件的圆片级封装方法无效
申请号: | 200910087316.8 | 申请日: | 2009-06-17 |
公开(公告)号: | CN101920930A | 公开(公告)日: | 2010-12-22 |
发明(设计)人: | 焦斌斌;陈大鹏;叶甜春 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | B81C3/00 | 分类号: | B81C3/00;G01J5/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种非制冷红外成像器件的圆片级封装方法,该方法是将具有非制冷红外成像器件3的晶圆1与具有对8~14微米波长红外光线具有透过能力的封盖2通过共晶合金键合技术在真空条件下进行键合,完成器件的封装。在封盖2的黏附层6上涂敷共晶键合剂8,然后将封盖2放置在高真空容器内的热板上加热将吸气剂7激活,再将热板温度调节到共晶合金的熔融温度150度~300度,待温度稳定后将待封装晶圆1从上至下与封盖2对准压合,实现非制冷红外成像器件的圆片级封装。利用本发明,能够极大地降低非制冷红外成像器件的真空封装成本,有效的提高器件的封装效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 制冷 红外 成像 器件 圆片级 封装 方法 | ||
【主权项】:
一种非制冷红外成像器件的圆片级封装方法,其特征在于,该方法是将具有非制冷红外成像器件(3)的晶圆(1)与具有对8~14微米波长红外光线具有透过能力的封盖(2)通过共晶合金键合技术在真空条件下进行键合,完成器件的封装。
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