[发明专利]一种非制冷红外成像器件的圆片级封装方法

权利要求书

1.一种非制冷红外成像器件的圆片级封装方法，其特征在于，该方法是将具有非制冷红外成像器件(3)的晶圆(1)与具有对8～14微米波长红外光线具有透过能力的封盖(2)通过共晶合金键合技术在真空条件下进行键合，完成器件的封装。

2.根据权利要求1所述的非制冷红外成像器件的圆片级封装方法，其特征在于，该方法具体包括：

在封盖(2)的黏附层(6)上涂敷共晶键合剂(8)，然后将封盖(2)放置在高真空容器内的热板上加热将吸气剂(7)激活，再将热板温度调节到共晶合金的熔融温度150度～300度，待温度稳定后将待封装晶圆(1)从上至下与封盖(2)对准压合，实现非制冷红外成像器件的圆片级封装。

3.根据权利要求2所述的非制冷红外成像器件的圆片级封装方法，其特征在于，所述封盖(2)的尺寸与具有非制冷红外成像器件(3)的晶圆(1)的尺寸完全相同，厚度为300微米～100000微米，封盖(2)的材料是红外透过材料锗玻璃、硫系玻璃或单晶硅。

4.根据权利要求2所述的非制冷红外成像器件的圆片级封装方法，其特征在于，所述封盖(2)的上下两面被抛光为平整镜面，并且在封盖(2)的上下两面附着有针对8～14微米波长的红外光线增透膜(5)，红外光线增透膜(5)的厚度为0.01微米～100微米，材料为硫化锌薄膜、类金刚石薄膜或氟化镱薄膜。

5.根据权利要求2所述的非制冷红外成像器件的圆片级封装方法，其特征在于，在所述封盖(2)上对应于非制冷红外成像器件(3)的引线焊盘(9)的位置制作有引线窗口2(10)，其贯通封盖(2)的两面，形状为矩形或正方形，长宽尺寸在5000微米～10000微米之间。

6.根据权利要求2所述的非制冷红外成像器件的圆片级封装方法，其特征在于，在所述封盖(2)朝向被封装器件晶圆(1)的一侧附着有用于增加键合黏附力的金属黏附层(6)，其分布位置、尺寸都与晶圆(1)上的黏附层(4)完全对应，材料为金、钛、镍、铝、铅或锡中的任一种金属或任一种以上金属的合金，其厚度为100微米～10000微米。

7.根据权利要求2所述的非制冷红外成像器件的圆片级封装方法，其特征在于，在所述封盖(2)朝向封装器件晶圆(1)的一侧上附着有吸气剂(7)，其位于封盖上的黏附层(6)的矩形内但并不遮挡成像器件(3)的位置，其尺寸在200微米～10000微米，厚度为100微米～3000微米。

8.根据权利要求2所述的非制冷红外成像器件的圆片级封装方法，其特征在于，所述共晶键合剂(8)的材料为铅锡合金，铅的含量在10％～60％之间。

9.根据权利要求2所述的非制冷红外成像器件的圆片级封装方法，其特征在于，所述晶圆(1)上的非制冷红外成像器件(3)成矩形阵列分布，在非制冷红外成像器件(3)周围制备有用于键合的金属黏附层(4)，金属黏附层(4)的材料是金、钛、镍、铝、铅和锡中的任一种金属或任一种以上金属的合金，金属黏附层(4)的形状为矩形或正方形围绕在非制冷红外成像器件(3)的周围，距离非制冷红外成像器件(3)100微米～10000微米，宽度为50微米～10000微米，厚度为0.1微米～50微米。

10.根据权利要求2所述的非制冷红外成像器件的圆片级封装方法，其特征在于，该方法进一步包括：

将键合好的封盖(2)与晶圆(1)拿出并沿着成像器件(3)的尺寸划片，实现被封装好的数个单个成像器件。