[发明专利]一种在瓦楞辊表面注渗氮化硅特种陶瓷的方法无效

专利信息
申请号: 200910084987.9 申请日: 2009-06-05
公开(公告)号: CN101906606A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: 杨金龙;刘炜;陈立辉;陈俊忠;肖武 申请(专利权)人: 清华大学;深圳市东方企业有限公司
主分类号: C23C8/36 分类号: C23C8/36
代理公司: 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 代理人: 周春发
地址: 100084 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种在瓦楞辊表面注渗氮化硅特种陶瓷的方法,其包含以下步骤:将瓦楞辊置于真空等离子热处理炉内,并与炉内阴极的阴极相连;密封开启真空系统,抽真空,之后充氢气与四氯化硅气体的混合气;启动真空等离子热处理炉的电源;提高工件电源电压,加大工件电流,使工件逐步升温,并保温;保温结束后,切断辉光电源,关闭阀门,工件冷却;排出四氯化硅与氢气混合气,将真空室抽真空后,充入氮气与氢气的混合气;再次启动电源;提高工件电源电压,加大工件电流,使工件逐步升温,并保温;本发明有效提高瓦楞辊的使用寿命,通过离子注渗的工艺,在瓦楞辊表面形成具有极高结合强度的氮化硅耐磨陶瓷层,将瓦楞辊寿命延长至1500万长米,废品率控制在2%以下。
搜索关键词: 一种 瓦楞 表面 氮化 特种 陶瓷 方法
【主权项】:
种在瓦楞辊表面注渗氮化硅特种陶瓷的方法,其特征在于包括以下步骤:步骤1:将瓦楞辊置于真空等离子热处理炉内,并与炉内阴极的阴极相连;步骤2:将上述第1步真空等离子热处理炉密封,开启真空系统,抽真空,真空室的极限真空度范围在133×10 2~5×133×10 1Pa;之后充氢气与四氯化硅气体的混合气达到工作气压,使其工作气压压力范围为10~80Pa,其中四氯化硅气体的体积分数含量范围为60%~80%;步骤3:启动真空等离子热处理炉的电源,真空炉内形成异常的辉光放电,产生活性硅离子,硅离子在辉光放电空间内各种等离子体的作用下,吸附在基体表面,夺取电子形成硅原子,并向基体内扩散,在极限溶解度之内,硅原子以溶质的形式存在于基体内;步骤4:提高工件电源电压,加大工件电流,使工件逐步升温,并保温;步骤5:保温结束后,切断辉光电源,关闭阀门停止供气和抽气,工件冷却;步骤6:保持真空等离子热处理炉内的瓦楞辊位置不变,排出四氯化硅与氢气混合气,将真空室抽至真空度5~15Pa后,充入氮气与氢气的混合气,其中氮气含量体积分数为25%~35%,混合气气压保持在(1~10)×133Pa之间;步骤7:再次启动真空等离子热处理炉的电源,炉内形成辉光放电,产生活性氮离子,氮离子在高压电场的作用下,高速轰击工件表面,夺取工件表面的电子后逐渐成为氮原子,被工件表面吸收,并向内扩散;在此条件下,氮原子与之前渗透的硅原子均具有很高的活性,故两者极易在瓦楞辊表面结合,发生化学反应,形成氮化硅陶瓷层;步骤8:提高工件电源电压,加大工件电流,使工件逐步升温,并保温;步骤9:保温结束后,切断辉光电源,关闭阀门停止供气和抽气,工件冷却;步骤10:取出工件,两端安装轴头后即可使用。
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