[发明专利]一种阻变层和具有该阻变层的阻变存储器及制备工艺有效
| 申请号： | 200910082890.4 | 申请日： | 2009-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101872837A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 康晋锋;高滨;余诗孟;刘力锋;孙兵;刘晓彦;韩汝琦 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 胡小永 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子半导体技术领域，公开了一种阻变层和具有该阻变层的阻变存储器及制备工艺。通过在阻变存储器的底电极上连续淀积三层金属薄膜形成合金层，然后形成阻变层的工艺方法，实现了对阻变层中细丝导电通道产生的有效控制，从而改善了阻变存储器的一致性。本发明能与传统的半导体生产工艺相兼容，工艺简单，生产成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阻变层 具有 存储器 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种阻变层的制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：S1，在底电极上依次淀积三层金属薄膜，其中，上下两层为铝或镧，中间层为制备所述阻变层的常规金属薄膜；S2，将所述三层金属薄膜在惰性气体的气氛中进行退火处理，使得上下两层金属薄膜向中间层金属薄膜中扩散并相互溶解形成合金薄膜；S3，将经步骤S2退火后的合金薄膜在氧气的气氛中内进行退火处理，使合金薄膜被氧化形成金属氧化物薄膜，所形成的金属氧化物薄膜构成阻变存储器的阻变层。
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