[发明专利]一种阻变层和具有该阻变层的阻变存储器及制备工艺

权利要求书

1.一种阻变层的制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：

S1，在底电极上依次淀积三层金属薄膜，其中，上下两层为铝或镧，中间层为制备所述阻变层的常规金属薄膜；

S2，将所述三层金属薄膜在惰性气体的气氛中进行退火处理，使得上下两层金属薄膜向中间层金属薄膜中扩散并相互溶解形成合金薄膜；

S3，将经步骤S2退火后的合金薄膜在氧气的气氛中内进行退火处理，使合金薄膜被氧化形成金属氧化物薄膜，所形成的金属氧化物薄膜构成阻变存储器的阻变层。

2.如权利要求1所述的阻变层的制备工艺，其特征在于，所述中间层为铪或锆。

3.如权利要求1所述的阻变层的制备工艺，其特征在于，所述上下两层厚度均为3纳米至7纳米，所述中间层厚度为10纳米至30纳米。

4.如权利要求3所述的阻变层的制备工艺，其特征在于，所述退火处理的温度为500℃至800℃，进行5至30分钟。

5.如权利要求2所述的阻变层的制备工艺，其特征在于，所述上下两层为铝，中间层为铪。

6.如权利要求5所述的阻变层的制备工艺，其特征在于，所述上下两层厚度均为5纳米，所述中间层厚度为20纳米。

7.如权利要求6所述的阻变层的制备工艺，其特征在于，所述退火在600℃的温度条件下进行20分钟。

8.如权利要求1所述的阻变层的制备工艺，其特征在于，所述步骤S1中的淀积方式为物理气相淀积。

9.一种利用权利要求1至8之任一所述的阻变层的制备工艺制备的阻变层。

10.一种阻变存储器的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括如下步骤：

A1，在一个衬底上淀积底电极；

A2，通过如权利要求1至8之任一所述的阻变层的制备工艺制得阻变层；

A3，在所述阻变层上淀积顶电极；

A4，利用光刻技术将所述底电极、阻变层和顶电极隔离成分立的存储单元之后，所述底电极、阻变层，顶电极和衬底形成所述阻变存储器。

11.如权利要求10所述的阻变存储器的制备工艺，其特征在于，在所述步骤A4之后还包括对所述阻变存储器进行引线和钝化的步骤。

12.一种利用权利要求10所述的阻变存储器的制备工艺制备的阻变存储器。

13.如权利要求12所述的阻变存储器，其特征在于，将所述阻变存储器进行引线和钝化。