[发明专利]一种半导体及显示器用高纯铜溅射靶材的制造方法无效
| 申请号： | 200910080461.3 | 申请日： | 2009-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101519765A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 李永军;武浚;马瑞新;杨艳;艾琳;汪春平;孙鹏;吴中亮;张亚东 | 申请（专利权）人： | 金川集团有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/34;B22F9/08;B22F3/14 |
| 代理公司： | 中国有色金属工业专利中心 | 代理人： | 李迎春 |
| 地址： | 737103*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体及显示器用高纯铜溅射靶材的制造方法。其特征在于其制备过程是采用熔化的铜液滴冷却形成的铜晶粒，在保护性氛下，在100～800℃温度，30～100MPa压力，热压10～50min，进行热压致密化制得的。本发明的造方法，将真空熔炼技术、急冷法及真空热压致密化有机结合，避免了传统靶材制备过程中靶材晶粒尺寸均匀性及密度达不到要求的缺点，高纯铜溅射金属靶材所产生的晶粒是微细且均匀的，经金相显微镜测试晶粒尺寸小于100μm，通过密度测试，其密度接近或达到理论密度8.96g/cm3，杂质含量低，晶粒尺寸均匀，且能提高效率，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 显示 器用 高纯 溅射 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体及显示器用高纯铜溅射靶材的制造方法，其特征在于其制备过程是采用熔化的铜液滴冷却形成的铜晶粒，在保护性氛下，在100～800℃温度，30～100MPa压力，热压10～50min，进行热压致密化制得的。
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