[发明专利]一种半导体及显示器用高纯铜溅射靶材的制造方法

权利要求书

1.一种半导体及显示器用高纯铜溅射靶材的制造方法，其特征在于其制备过程是采用熔化的铜液滴冷却形成的铜晶粒，在保护性氛下，在100～800℃温度，30～100MPa压力，热压10～50min，进行热压致密化制得的。

2.根据权利要求1所述的一种半导体及显示器用高纯铜溅射靶材的制造方法，其特征在于所述的采用熔化的铜液滴冷却形成的铜晶粒的制备过程是将铜原料熔化，在1100～1200℃，保护性气氛下，精炼10～40min后，将熔化的铜液滴落到冷盘上冷却制成铜晶粒的。

3.根据权利要求1所述的一种半导体及显示器用高纯铜溅射靶材的制造方法，其特征在于所述的采用熔化的铜液滴冷却形成的铜晶粒的制备过程采用的铜原为纯度大于99.999％的高纯铜。

4.根据权利要求1所述的一种半导体及显示器用高纯铜溅射靶材的制造方法，其特征在于所述的保护性气氛为炉体经抽真空至真空度>10^-3Pa，炉内充入纯度为99.9995％的氩气的保护性气氛。

5.根据权利要求1所述的一种半导体及显示器用高纯铜溅射靶材的制造方法，其特征在于所述的采用熔化的铜液滴冷却形成的铜晶粒的制备过程的冷盘上的盘面冷却温度为4～20℃。

6.根据权利要求1所述的一种半导体及显示器用高纯铜溅射靶材的制造方法，其特征在于所述的采用熔化的铜液滴冷却形成的铜晶粒的制备过程熔化的铜液滴的单滴重0.50～0.68g，液滴下降高度为30～40cm。