[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法无效
| 申请号： | 200910079910.2 | 申请日： | 2009-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101833203A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 张弥 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L29/786;H01L21/84;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 曲鹏 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括形成在基板上的栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，数据线上方的钝化层上设置有用于修复断线不良或短接不良的连接电极。制造方法包括：形成栅线和栅电极图形；形成有源层、数据线、源电极和漏电极图形；形成钝化层过孔图形；沉积透明导电薄膜，形成包括像素电极和连接电极的图形，像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接，连接电极位于数据线的上方。本发明通过在数据线上方设置连接电极，当发生数据线断线不良或数据线与栅线之间短接不良时，只需用激光将数据线切断，并将连接电极与数据线连接在一起即可，修复难度小且方便，修复成功率高。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述数据线上方的钝化层上设置有用于修复断线不良或短接不良的连接电极。
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