[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器结构及其制造方法，尤其是一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，近年来得到了迅速地发展，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。TFT-LCD的主体结构包括对盒的阵列基板和彩膜基板，其中阵列基板上形成有栅线、数据线以及以矩阵方式排列的薄膜晶体管和像素电极。

在笔记本用TFT-LCD中，透过率是很重要的性能指标。为了达到高透过率，现有技术通常采用减小薄膜晶体管尺寸的方法，因此在制备笔记本用TFT-LCD阵列基板时，受产品特点和工艺难度影响，数据线与栅线之间因静电等原因发生短接不良的几率较大，此外也会出现断线不良。当发生断线不良或数据线与栅线之间短接不良时，虽然现有技术提出了采用化学气相沉积修复(CVD Repair)方法进行搭桥修复的技术方案，但由于薄膜晶体管尺寸小，修复成功率不高，即使修复成功，也要损害至少两个像素，修复的难度很大。

发明内容

本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，当发生断线不良或短接不良时，修复成功率高，修复难度小。

为了实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述数据线上方的钝化层上设置有用于修复断线不良或短接不良的连接电极。

所述像素区域内还设置有公共电极线，所述公共电极线与栅线同层，并在同一次构图工艺中形成。

所述连接电极与像素电极同层，并在同一次构图工艺中形成。

在上述技术方案基础上，所述连接电极的形状与数据线的形状相同。所述连接电极的宽度大于数据线的宽度，以完全遮盖住数据线。

为了实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，包括：

步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形；

步骤2、在完成步骤1的基板上沉积栅绝缘层、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括有源层、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积钝化层，通过构图工艺形成包括钝化层过孔的图形，所述钝化层过孔位于漏电极的上方；

步骤4、在完成步骤3的基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极和连接电极的图形，所述像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接，所述连接电极位于数据线的上方。

所述步骤1中还同时形成有公共电极线。

所述步骤2可以包括：采用等离子体增强化学气相沉积方法，依次沉积栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜；采用磁控溅射或热蒸发的方法，沉积源漏金属薄膜；在所述源漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶；采用半色调或灰色调掩模板曝光，使光刻胶形成光刻胶完全保留区域、光刻胶完全去除区域和光刻胶半保留区域，光刻胶完全保留区域对应于数据线、源电极和漏电极图形所在区域，光刻胶半保留区域对应于TFT沟道区域图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于上述图形以外的区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度变薄；通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的源漏金属薄膜、掺杂半导体薄膜和半导体薄膜，形成包括有源层和数据线的图形；通过灰化工艺去除光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的源漏金属薄膜；通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的源漏金属薄膜和掺杂半导体薄膜，，并刻蚀掉部分厚度的半导体薄膜，使该区域的半导体薄膜暴露出来，形成包括源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形；剥离剩余的光刻胶。

所述步骤2也可以包括：采用等离子体增强化学气相沉积方法，依次沉积栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜；采用普通掩模板对半导体薄膜和掺杂半导体薄膜进行构图，形成包括有源层的图形；采用磁控溅射或热蒸发的方法，沉积一层源漏金属薄膜；采用普通掩模板对源漏金属薄膜进行构图，形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形。