[发明专利]检测半导体晶体或外延薄膜材料极性的方法及检测系统有效
| 申请号： | 200910079885.8 | 申请日： | 2009-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101614685A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 王新强;沈波;张琦;贺小伟;许福军;尹春明;杨志坚;张国义 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01N23/227 | 分类号： | G01N23/227 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡小永 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种检测半导体晶体或外延薄膜材料极性的方法，所述方法包括以下步骤：利用圆偏振光辐照待测的半导体晶体或外延薄膜材料，并检测所产生的无偏压电流的电流方向；根据所述无偏压电流的电流方向，判断所述待测的半导体晶体或外延薄膜材料的极性。另外本发明还公开了一种半导体晶体或外延薄膜材料极性的检测系统。本发明的测试系统可在常温常压下工作，检测精确度高、制样简单快捷、检测速度快，对测试样品具有无损性，而且对测试人员的要求很低，操作非常容易，每个样品的测试时间仅为10分钟左右，更为重要的是整套测试系统价格低廉，可以大大降低测试成本。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 半导体 晶体 外延 薄膜 材料 极性 方法 系统 | ||
【主权项】：
1、一种检测半导体晶体或外延薄膜材料极性的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：利用圆偏振光辐照待测的半导体晶体或外延薄膜材料，并检测所产生的无偏压电流的电流方向；根据所述无偏压电流的电流方向，判断所述待测的半导体晶体或外延薄膜材料的极性。
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