[发明专利]检测半导体晶体或外延薄膜材料极性的方法及检测系统

权利要求书

1.一种检测半导体晶体或外延薄膜材料极性的方法，其特征在 于，所述方法包括以下步骤：

利用圆偏振光辐照待测的半导体晶体或外延薄膜材料，并检测所 产生的无偏压电流的电流方向；

根据所述无偏压电流的电流方向，判断所述待测的半导体晶体或 外延薄膜材料的极性，判断标准为：

极性相反的同一种半导体晶体或者外延薄膜在相同的条件下测 试得到的圆偏振自旋光电流是反向的；或者

利用不同极性半导体的圆偏振自旋光电流变化规律是否相反来 判断该半导体的极性。

2.如权利要求1所述的检测半导体晶体或外延薄膜材料极性的 方法，其特征在于，所述的半导体晶体为具有极性或者不对称性的半 导体晶体。

3.如权利要求2所述的检测半导体晶体或外延薄膜材料极性的 方法，其特征在于，所述的半导体晶体为III-V族化合物半导体或II-VI 族化合物半导体。

4.如权利要求1所述的检测半导体晶体或外延薄膜材料极性的 方法，其特征在于，所述外延薄膜为具有极性的外延薄膜及其量子结 构。

5.如权利要求4所述的检测半导体晶体或外延薄膜材料极性的 方法，其特征在于，所述外延薄膜为GaN、AlN、InN外延薄膜、ZnO、 ZnS、ZnSe外延薄膜或GaN基异质结构。