[发明专利]脉冲激光能量探测器及其制作方法与应用有效
| 申请号： | 200910079513.5 | 申请日： | 2009-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101510572A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 赵昆;刘昊;刘闻炜;赵嵩卿 | 申请（专利权）人： | 中国石油大学（北京） |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L31/0336;H01L31/18;G01J11/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄 健 |
| 地址： | 102249*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种脉冲激光能量探测器及其制作方法与应用，所述的脉冲激光能量探测器主要包括：光传感器，该光传感器包括一个利用ZnO/Si异质结材料制作的光传感器芯片、两个电极和两个输出端，其中所述光传感器芯片由ZnO膜层和Si基底构成，所述两个电极分别位于ZnO膜层和Si基底上，且两个电极分别连接两个输出端。本发明的脉冲激光能量探测器主要是利用ZnO/Si异质结材料制作而成，该探测器为光生伏特型探测器，单脉冲激光照射后直接产生双峰形状的电压信号，两峰位对应的时间之差与入射激光能量之间的函数关系明显，容易制作电子测量仪器，可以探测光能量。 | ||
| 搜索关键词： | 脉冲 激光 能量 探测器 及其 制作方法 应用 | ||
【主权项】：
1、一种脉冲激光能量探测器，该探测器包括：光传感器，该光传感器包括一个利用ZnO/Si异质结材料制作的光传感器芯片、两个电极和两个输出端，其中所述光传感器芯片由ZnO膜层和Si基底构成，所述两个电极分别位于ZnO膜层和Si基底上，且两个电极分别连接两个输出端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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