[发明专利]脉冲激光能量探测器及其制作方法与应用

权利要求书

1.利用脉冲激光能量探测器探测脉冲激光能量的方法，其中，根据待测能量的脉冲激光照射所述探测器后产生的电压信号的双峰时间差确定光能量；

所述的脉冲激光能量探测器包括：

光传感器，该光传感器包括一个利用ZnO/Si异质结材料制作的光传感器芯片、两个电极和两个输出端，其中所述光传感器芯片由ZnO膜层和Si基底构成，所述两个电极分别位于ZnO膜层和Si基底上，且两个电极分别连接两个输出端。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述的脉冲激光能量探测器中，所述Si基底为单晶Si，厚度0.1微米～5毫米。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述的脉冲激光能量探测器中，所述ZnO膜层厚度0.1纳米～10微米。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述的脉冲激光能量探测器中，所述电极的材料包括银、金、铂、铟、铝和金属性化合物中的至少一种；所述电极为点状、线状或平面电极。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述的脉冲激光能量探测器中，所述电极的材料包括银、金、铂、铟、铝和金属性化合物中的至少一种；所述电极为条形或叉指形电极。

6.根据权利要求1所述的方法，该方法包括步骤：

利用不同能量的脉冲激光照射所述探测器，确定所产生的电压信号的双峰时间差与光能量的函数关系；

利用待测能量的脉冲激光照射所述探测器，确定所产生的电压信号的双峰时间差，并将该时间差与上述函数关系进行分析比较，从而确定该待测能量的脉冲激光的能量。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，待测能量的脉冲激光能量范围为微焦级到毫焦级。

8.根据权利要求1或7所述的方法，其中，待测能量的脉冲激光的波长在紫外至红外范围内。