[发明专利]氧化锌掺杂的聚偏氟乙烯介电薄膜材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200910079445.2 | 申请日： | 2009-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN101494094A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 邓元;王广胜;李娜;党宇 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01B3/44 | 分类号： | H01B3/44;H01G4/14;C08L27/16;C08K3/22;C08J5/18 |
| 代理公司： | 北京永创新实专利事务所 | 代理人： | 周长琪 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氧化锌掺杂的聚偏氟乙烯介电薄膜材料及其制备方法，该介电薄膜材料是将棒状纳米氧化锌掺杂在聚偏氟乙烯内，并依据渗流理论制得介电常数高的介电薄膜材料。本发明将棒状纳米氧化锌掺杂到聚偏氟乙烯中，在频率100Hz条件下掺杂有氧化锌的聚偏氟乙烯介电薄膜材料的介电常数可达230。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化锌 掺杂 聚偏氟 乙烯 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氧化锌掺杂的聚偏氟乙烯介电薄膜材料，其特征在于：是由直径为80nm～200nm，长为1μm～3μm的低维纳米结构的棒状氧化锌和粒径为10μm～20μm的聚偏氟乙烯组成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学，未经北京航空航天大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910079445.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：蓄电池的板栅及其生产方法和应用
- 下一篇：一种粒子滤波跟踪方法和跟踪装置
