[发明专利]背槽式结构磁流体-声表面波集成磁传感器无效
| 申请号： | 200910079275.8 | 申请日： | 2009-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101504445A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 刘桂雄;徐晨;刘宏 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02 |
| 代理公司： | 北京捷诚信通专利事务所 | 代理人： | 魏殿绅 |
| 地址： | 510640广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了背槽式结构磁流体-声表面波集成磁传感器，包括压电基片、两个叉指换能器IDT、磁流体槽及两组收发电磁波信号的天线，所述两个叉指能换能器IDT分别位于基片表面的两端，所述磁流体槽设置在两个叉指换能器之间压电基片底部的中央位置；所述收发电磁波信号的天线，分别连接在两个IDT的汇流条上。该传感器可实现无源无线高精度实时的磁场强度测量，通过天线接收射频信号在IDT上激发瑞利波RSAW，由于磁流体对外磁场变化的零迟滞响应，瞬时使瑞利波能量衰减，再将衰减的瑞利波经IDT转换为电磁波由天线发射出去，根据发射出去的电磁波频率和幅值变化与磁场强度变化的对应关系，即可准确测量出磁场变化。 | ||
| 搜索关键词： | 背槽式 结构 流体 表面波 集成 传感器 | ||
【主权项】：
1、背槽式结构磁流体-声表面波集成磁传感器，其特征在于，所述传感器包括：压电基片、至少两个叉指换能器IDT、磁流体槽及至少两组天线，所述叉指换能器位于压电基片的两端，所述磁流体槽设置在两个叉指换能器之间压电基片底部的中央位置，在该磁流体槽内填注有磁流体并封装；所述天线连接于叉指换能器IDT的汇流条上。
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