[发明专利]背槽式结构磁流体-声表面波集成磁传感器无效
| 申请号: | 200910079275.8 | 申请日: | 2009-03-06 |
| 公开(公告)号: | CN101504445A | 公开(公告)日: | 2009-08-12 |
| 发明(设计)人: | 刘桂雄;徐晨;刘宏 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
| 主分类号: | G01R33/02 | 分类号: | G01R33/02 |
| 代理公司: | 北京捷诚信通专利事务所 | 代理人: | 魏殿绅 |
| 地址: | 510640广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 背槽式 结构 流体 表面波 集成 传感器 | ||
1.背槽式结构磁流体-声表面波集成磁传感器,其特征在于,所述传感器包括:压电基片、两个叉指换能器IDT、磁流体槽及两组天线,所述两个叉指换能器分别位于压电基片的两端,所述磁流体槽设置在两个叉指换能器之间压电基片底部的中央位置,在该磁流体槽内填注有磁流体并封装;所述两组天线分别连接于叉指换能器IDT的汇流条上;
所述传感器的基片材料为石英晶体,并通过采用ST切割及X方向传播的加工方式,使得基片表面激发瑞利波;
将设置在压电基片两端表面上的叉指换能器加工成指条宽度为四分之一瑞利波波长的相同周期及相同指长的叉指电极。
2.根据权利要求1所述的背槽式结构磁流体-声表面波集成磁传感器,其特征在于,所述叉指换能器采用的材料为金属铜。
3.根据权利要求1所述的背槽式结构磁流体-声表面波集成磁传感器,其特征在于,所述传感器底部中央位置的磁流体填注槽的形状为梯形,并将填注磁流体后的梯形槽进行封装,使得传感器通过磁流体粘度变化引发瑞利波能量发生变化,所述磁流体粘度变化是由外磁场强度的变化引起的,从而通过瑞利波能量的变化对外磁场强度的变化进行测量。
4.根据权利要求1或3所述的背槽式结构磁流体-声表面波集成磁传感器,其特征在于,所述传感器是通过磁流体的磁粘特性对瑞利波能量产生影响,即影响输出电磁波的频率和幅值,从而实现引起磁粘变化的外磁场强度变化的测量;磁-声耦合发生在微米数量级,使得传感器测量精度较高,且所述磁传感器采用的磁流体对外磁场变化响应无延时可以实现实时测量。
5.根据权利要求1所述的背槽式结构磁流体-声表面波集成磁传感器,其特征在于,所述传感器天线包括两组,分别接收和发送电磁波信号,实现瑞利波的激发和能量变化后声波转换为电磁波的发射。
6.根据权利要求1所述的背槽式结构磁流体-声表面波集成磁传感器,其特征在于,所述传感器能实现无源无线的磁场强度变化检测。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学,未经华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910079275.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





