[发明专利]一种制作黑硅材料的方法无效
| 申请号： | 200910078865.9 | 申请日： | 2009-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101824654A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 朱洪亮;梁松;韩培德;林学春;王宝华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C30B31/20;H01L31/0288;H01L31/102 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用波长为1064nm和532nm两种激光器光源扫描制作黑硅材料的方法，该方法包括：步骤1：将硅片置于硫系物质环境中；步骤2：利用经过透镜聚焦的波长为1064nm和532nm的两种激光器光源，先后扫描辐照硅片表面，形成包含硅微锥、硅微粒和硅微洞的微结构黑硅材料。本发明将长波光源作用深度深、短波光源作用深度浅的特点同时融入黑硅材料的制作中，拓展了硫系掺杂物和硅微锥、微粒和微洞在表面层的范围，所以能够更充分地吸收入射光，将全太阳光谱的吸收系数提高到90％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种利用波长为1064nm和532nm两种激光器光源扫描制作黑硅材料的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：将硅片置于硫系物质环境中；步骤2：利用经过透镜聚焦的波长为1064nm和532nm的两种激光器光源，先后扫描辐照硅片表面，形成包含硅微锥、硅微粒和硅微洞的微结构黑硅材料。
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