[发明专利]一种制作黑硅材料的方法无效
| 申请号： | 200910078865.9 | 申请日： | 2009-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101824654A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 朱洪亮;梁松;韩培德;林学春;王宝华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C30B31/20;H01L31/0288;H01L31/102 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 材料 方法 | ||
1.一种利用波长为1064nm和532nm两种激光器光源扫描制作黑硅 材料的方法，其特征在于，该方法包括：
步骤1：将硅片置于硫系物质环境中；
步骤2：利用经过透镜聚焦的波长为1064nm和532nm的两种激光器 光源，先后扫描辐照硅片表面，形成包含硅微锥、硅微粒和硅微洞的微结 构黑硅材料；
其中，所述硅片为(100)或(111)晶向的n型或p型硅片；所述1064nm 和532nm两种激光器光源的脉冲宽度为飞秒至纳秒，脉冲频率为1～ 10KHz；所述在激光器光源扫描辐照硅片表面时，激光在硅表面单位面积 上的照射能量密度大于硅的熔化阈值1.5KJ/m2。
2.根据权利要求1所述的利用波长为1064nm和532nm两种激光器 光源扫描制作黑硅材料的方法，其特征在于，所述硫系物质环境为气态环 境、粉末态环境或者液态环境。
3.根据权利要求2所述的利用波长为1064nm和532nm两种激光器 光源扫描制作黑硅材料的方法，其特征在于，所述气态环境为H2S或SF6气态环境，粉末态环境为S粉末、Se粉末或Te粉末粉末态环境，液态环 境为H2SO4或(NH4)2SO4液态环境。
4.根据权利要求1所述的利用波长为1064nm和532nm两种激光器 光源扫描制作黑硅材料的方法，其特征在于，在硅片表面形成的硅微锥、 硅微粒和硅微洞的长度为0.1～50μm，宽度为0.1～50μm，高度为0.1～ 50μm。
5.根据权利要求1所述的利用波长为1064nm和532nm两种激光器 光源扫描制作黑硅材料的方法，其特征在于，所述形成的包含硅微锥、硅 微粒和硅微洞的微结构黑硅材料，其表面具有1020cm-3的硫系原子浓度层。
6.根据权利要求1所述的利用波长为1064nm和532nm两种激光器 光源扫描制作黑硅材料的方法，其特征在于，所述形成的包含硅微锥、硅 微粒和硅微洞的微结构黑硅材料，对波长在0.25～2.5μm范围内的光具有 大于90％的吸收率。
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