[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200910078643.7 | 申请日： | 2009-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101819363A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 刘翔;林承武;陈旭;谢振宇 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 曲鹏 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述栅线与数据线之间形成有第一绝缘层和第二绝缘层，所述像素电极设置在所述第一绝缘层与第二绝缘层之间。本发明通过设置两层绝缘层，并将像素电极设置在两层绝缘层之间，当像素电极与公共电极线或栅线形成存储电容时，存储电容两个电极板之间的距离只是第一绝缘层的厚度，存储电容两个电极板之间的距离大大减小，因此提高了单位面积存储电容。进一步地，由于本发明采用两层绝缘层结构，可以改善绝缘层与半导体层之间形成的界面，从而可以提高TFT特性。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述栅线与数据线之间形成有第一绝缘层和第二绝缘层，所述像素电极设置在所述第一绝缘层与第二绝缘层之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司，未经北京京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910078643.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：公路工程地质勘探防埋钻岩粉管
- 下一篇：硬件加密引擎的实现方法
