[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器结构及其制造方法，尤其是一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。 

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。 

TFT-LCD主要由对盒的阵列基板和彩膜基板构成，其中阵列基板上形成有矩阵式排列的薄膜晶体管和像素电极，每个像素电极由薄膜晶体管控制。当薄膜晶体管打开时，像素电极在打开时间内充电，充电结束后，像素电极电压将维持到下一次扫描时重新充电。一般来说，液晶电容不大，仅靠液晶电容不能维持像素电极的电压，因此现有设计均设置一个存储电容来保持像素电极的电压。通常，存储电容的主要类型为：存储电容在栅线上(Cs onGate)、存储电容在公共电极线上(Cs on Common)和组合结构，组合结构是指存储电容一部分在栅线上，另一部分在公共电极线上。但无论是哪种类型，现有技术均是采用栅金属薄膜作为存储电容一个电极板，与作为存储电容另一个电极板的像素电极之间夹设有栅绝缘层和钝化层，栅绝缘层厚度为 钝化层的厚度为 由存储电容的计算公式可知，单位面积存储电容的大小与两电极板之间的距离成反比，由于现有TFT-LCD阵列基板中存储电容两电极板之间的距离较大，因此导致单位面积存储电容相对较小。 

发明内容

本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，不仅可以有效提高单位面积存储电容，还具有高开口率和高显示亮度等优点。 

为实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述栅线与数据线之间形成有第一绝缘层和第二绝缘层，所述像素电极设置在所述第一绝缘层与第二绝缘层之间；所述像素区域内还形成有与所述像素电极构成存储电容的公共电极线，所述公共电极线设置在所述基板和所述第一绝缘层之间；和/或所述像素电极覆盖在部分所述栅线上。 

所述第一绝缘层形成在所述栅线和薄膜晶体管的栅电极上；所述像素电极形成在所述第一绝缘层上；所述第二绝缘层形成在所述像素电极上，其上形成有绝缘层过孔；有源层形成在第二绝缘层上，并位于所述栅电极上的上方；薄膜晶体管的源电极的一端位于所述有源层上，另一端与数据线连接，薄膜晶体管的漏电极的一端位于所述有源层上，另一端通过所述绝缘层过孔与像素电极连接，所述源电极与漏电极之间形成TFT沟道区域。 

所述有源层包括半导体层和掺杂半导体层，所述TFT沟道区域的掺杂半导体层被完全刻蚀掉，并刻蚀掉部分厚度的半导体层，使TFT沟道区域的半导体层暴露出来，且TFT沟道区域的半导体层的表面为经过氧化处理的氧化层。 

所述氧化处理的射频功率为5KW～13KW，气压为100mT～500mT，氧气的流量为1000sccm～4000sccm。 

为了实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，包括： 

步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形； 

步骤2、在完成步骤1的基板上沉积第一绝缘层和透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极的图形； 

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积第二绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，通过构图工艺形成包括有源层和绝缘层过孔的图形，所述绝缘层过孔位于所述像素电极的上方； 

步骤4、在完成步骤3的基板上沉积源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形，所述漏电极通过所述绝缘层过孔与像素电极连接，所述TFT沟道区域的掺杂半导体层被完全刻蚀掉，通过对TFT沟道区域的半导体层进行氧化处理，使暴露出来的半导体层表面形成一层氧化层。 

所述步骤3包括： 

步骤31、采用等离子体增强化学气相沉积方法，依次沉积第二绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜； 

步骤32、在所述掺杂半导体薄膜上涂覆一层光刻胶；