[发明专利]基于顶栅结构有机场效应晶体管集成电路的制备方法

摘要

本发明公开了一种基于顶栅结构有机场效应晶体管集成电路的制备方法，是通过三次光刻、三次金属沉积、一次有机半导体薄膜生长、一次绝缘介质层生长和一次绝缘介质层刻蚀，获得有机集成电路，该方法包括：在绝缘衬底上旋涂光刻胶保护层，光刻得到有机场效应晶体管的源漏电极图形，沉积金属电极；沉积生长有机半导体材料；沉积生长有机绝缘介质层；在有机绝缘层上旋涂光刻胶保护层，光刻得到用于互连的过孔的图形，以光刻胶为掩模刻蚀绝缘介质层形成过孔，沉积金属填充过孔；在有机绝缘层上旋涂光刻胶保护层，光刻得到电路互连线及有机场效应晶体管的栅电极图形，沉积金属互连线及栅电极。本发明提供的方法工艺简单、重复性好、稳定性高。

主权项

一种基于顶栅结构有机场效应晶体管集成电路的制备方法，该方法是通过三次光刻、三次金属沉积、一次有机半导体薄膜生长、一次绝缘介质层生长和一次绝缘介质层刻蚀，获得有机集成电路，其特征在于，该方法包括：在绝缘衬底表面旋涂光刻胶保护层，光刻得到有机场效应晶体管的源漏电极图形；在源漏图形区沉积生长源漏金属电极；沉积生长有机半导体薄膜；沉积生长有机绝缘介质层；在有机绝缘介质层表面旋涂光刻胶保护层，光刻得到用于电路互连的过孔的图形；以光刻胶为保护层，刻蚀图形区有机绝缘介质层及有机半导体层，形成过孔；在图形区沉积生长金属填充过孔；在有机绝缘介质层表面旋涂光刻胶保护层，光刻得到电路互连线及有机场效应晶体管栅电极的图形；在图形区沉积生长金属互连线及栅电极。