[发明专利]基于顶栅结构有机场效应晶体管集成电路的制备方法

权利要求书

1.一种基于顶栅结构有机场效应晶体管集成电路的制备方法，该方法是通过三次光刻、三次金属沉积、一次有机半导体薄膜生长、一次绝缘介质层生长和一次绝缘介质层刻蚀，获得有机集成电路，其特征在于，该方法包括：

在绝缘衬底表面旋涂光刻胶保护层，光刻得到有机场效应晶体管的源漏电极图形；

在源漏图形区沉积生长源漏金属电极；

沉积生长有机半导体薄膜；

沉积生长有机绝缘介质层；

在有机绝缘介质层表面旋涂光刻胶保护层，光刻得到用于电路互连的过孔的图形；

以光刻胶为保护层，刻蚀图形区有机绝缘介质层及有机半导体层，形成过孔；

在图形区沉积生长金属填充过孔；

在有机绝缘介质层表面旋涂光刻胶保护层，光刻得到电路互连线及有机场效应晶体管栅电极的图形；

在图形区沉积生长金属互连线及栅电极。

2.根据权利要求1所述的基于顶栅结构有机场效应晶体管集成电路的制备方法，其特征在于，所述在绝缘衬底表面旋涂光刻胶保护层，光刻得到有机场效应晶体管的源漏电极图形的步骤，是通过在绝缘层表面上旋涂光刻胶，并曝光、显影获得的。

3.根据权利要求1所述的基于顶栅结构有机场效应晶体管集成电路的制备方法，其特征在于，所述在源漏图形区沉积生长源漏金属电极的步骤，是采用金属蒸发技术或磁控溅射的方法实现的。

4.根据权利要求1所述的基于顶栅结构有机场效应晶体管集成电路的制备方法，其特征在于，所述沉积生长有机半导体薄膜的步骤，是采用真空热蒸镀的方法实现的。

5.根据权利要求1所述的基于顶栅结构有机场效应晶体管集成电路的制备方法，其特征在于，所述沉积生长有机绝缘介质层的步骤，是采用旋涂成膜的方法实现的。

6.根据权利要求1所述的基于顶栅结构有机场效应晶体管集成电路的制备方法，其特征在于，所述以光刻胶为保护层，刻蚀图形区有机绝缘介质层及有机半导体层，形成过孔的步骤，是采用等离子刻蚀的方法，刻蚀掉图形区的有机绝缘介质层及有机半导体层实现的。