[发明专利]用于气体检测的亚微米尺寸声表面波延迟线的制作方法无效
| 申请号： | 200910077517.X | 申请日： | 2009-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN101783658A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 李晶晶;赵以贵;朱效立;李东梅;贾锐;谢常青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03H3/08 | 分类号： | H03H3/08;B81C1/00;G01N29/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于气体检测的亚微米尺寸声表面波延迟线的制作方法，该方法利用电子束直写光刻技术制备出具有亚微米尺寸声表面波延迟线图形作为X射线曝光掩模板，然后在压电基片上采用X射线曝光得到凹立的延迟线图形，通过电子束蒸发、剥离形成亚微米尺寸声表面波延迟线。利用本发明，极大地减小电极材料的背散射效应，避免了无法在不导电的衬底上电子束光刻得到高分辨率图形的问题，从而进一步提高声表面波气体检测器的性能。另外，利用这个母版可以反复多次进行X射线曝光，提高了制作效率，极大减小了制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 气体 检测 微米 尺寸 表面波 延迟线 制作方法 | ||
【主权项】：
一种用于气体检测的亚微米尺寸声表面波延迟线的制作方法，其特征在于，该方法利用电子束直写光刻技术制备出具有亚微米尺寸声表面波延迟线图形作为X射线曝光掩模板，然后在压电基片上采用X射线曝光得到凹立的延迟线图形，通过电子束蒸发、剥离形成亚微米尺寸声表面波延迟线。
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